日本政府は、2035年までに国内での乗用車の新車販売で電動車100％を実現する戦略を打ち出すなど、
電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHV）はますます普及することが見込まれております。
EVやPHVの一層の普及にあたって、さらなる小型化／軽量化／高出力化が求められるため、パワー半導体素子用セラミックス基板にかかる熱的な負荷も高まる一方です。

今回は、より高い放熱性が求められる高出力のパワー素子用基板として用いられる
窒化アルミニウム（AlN）基板と窒化ケイ素（SiN）基板をご紹介します。

窒化アルミニウム（AIN）基板
アルミナ基板に比べ、約7倍以上の高い熱伝導性を有します。
シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)等の半導体に近似した熱膨張係数で、
熱サイクルに対して高い信頼性を実現します。
また、高い電気絶縁性を持ち、誘電率が小さいという特性を持っており、溶融金属に対する優れた耐食性も発揮します。

窒化ケイ素（Si₃N₄/SIN)基板
半導体パワーモジュールは、熱抵抗を低減するためにセラミックス基板を薄くし、銅の層を厚くする傾向にありますが、
SiN基板は機械的強度に優れているため、他のセラミック基板よりも薄く実装することが可能です。
（SiN基板は、アルミナ基板やAlN基板などのセラミック基板と比較し、約2倍の曲げ強度や最大たわみ量です）
一方でAlN基板同等の電気絶縁性や誘電率を持っております

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